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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
- 발행연도
- 2002.1
- 수록면
- 685 - 688 (4page)
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In this paper, it is reported that the anode current changes at the constantly applied gate voltages and the current-voltage (I-V) characteristics of Si, Co silicide and Mo silicide field emitter arrays (FEAs) depending on vacuum level from a $10^{-9}$ torr to a $10^{-6}$ torr. The mechanism of the robustness of anode current degradation of Mo silicide FEAs under poor vacuum conditions can be explained by the model of tolerance for the oxygen adsorption and oxidation at the silicide surface. Also, we present the changes of emitting area and work function of the emitters according to vacuum level.
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