지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.1
- 수록면
- 170 - 170 (1page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
We have implanted on sapphire substrate with various ions and investigated the properties of GaN epilayers grown on implanted sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Sapphire is typical substrate for GaN epilayers. However, there are many problems such as lattice mismatch and thermal coefficient difference between sapphire substrate and GaN. The ion implanted substrate's surface had decreased internal tree energies during the growth of the GaN epilayer, md the misfit strain was relieved through the formation of an AlN phase on the ions implanted sapphire(0001) substrates. [1] The crystal and optical properties of GaN epilayer grown in ions implanted sapphire(0001) substrate were improved.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
-
$N^+$이온주입된 사파이어 (0001)기판이 GaN epilayer에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
-
이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
기판의 이온빔 전처리에 의한 GaN 에피층의 특성연구
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
전처리된 사파이어 기판에 성장한 GaN의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
Si(111) 위에 Ion beam 처리 후 AlN layer를 완충층으로 이용하여 성장시킨 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향
한국재료학회지
2001 .01
-
Electrical Transports of N-Type GaN Epilayers
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
-
표면 가공 방법에 의한 GaN 기판의 제작과 특성
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
-
Growth of Substrate-Free GaN Wafer
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
Patterned substrate을 이용하여 MOCVD법으로 성장된 고효율 질화물 반도체의 광특성 및 구조 분석
한국재료학회지
2005 .01
-
Growth and Characterization of InGaN/GaN MQWs on Two Different Types of Substrate
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .06
-
AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구
한국재료학회지
1999 .01
-
ZnO 기판 위에 Hydride Vapor-Phase Epitaxy법에 의한 GaN의 성장
한국재료학회지
2002 .01
-
Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0