지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.1
- 수록면
- 165 - 165 (1page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
The growth of GaN on Si is of great interest due to the several advantages low cost, large size and high-quality wafer availability as well as its matured technology. The crystal quality of GaN is known to be much influenced by the surface pretreatment of Si substrate [1]. In this work, the properties of GaN overlayer grown on ion implanted Si(111)and bare Si(111) have been investigated. Si(111) surface was treated ion implantation with 60KeV and dose 1${\times}$10$\^$16//$\textrm{cm}^2$ prior to film growth. GaN epilayers were grown at 1100$^{\circ}C$ for 1 hour after growing AlN buffer layers for 15-30 minutes at 1100$^{\circ}C$ with metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The properties of GaN epilayers were evaluated by X-Ray Diffraction (XRD), Scanning electron microscope (SEM) Photoluminescence (PL) at room temperature and Hall measurement The results showed that the GaN on ion implanted Si(111) markedly affected to the structural, optical and electrical characteristic of GaN layers.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Si(111) 위에 Ion beam 처리 후 AlN layer를 완충층으로 이용하여 성장시킨 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구
한국재료학회지
1999 .01
-
Growth Characteristics of GaN on Si(111) using AlN buffer layer
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
-
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
-
AlN 완충층을 이용하여 Si 기판 위에 성장시킨 후막 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AIN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적,광학적 특성
한국재료학회지
2002 .01
-
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향
한국재료학회지
2001 .01
-
The Influence of AlN Buffer Layer Thickness on the Growth of GaN on a Si(111) Substrate with an Ultrathin Al Layer
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)
2008 .05
-
GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
-
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
에피구조(GaN-on-Si and GaN-on-s.i.SiC)에 따른 GaN 전력반도체 MISHEMT 소자의 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구
한국재료학회지
2000 .01
-
R. F. Sputter법으로 성장된 AlN 완충층이 GaN 박막결함에 미치는 영향
전기전자재료학회논문지
2004 .01
-
HVPE법으로 AlN/Si 위에 성장한 GaN의 특성
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
공정조건에 따른 GaN나노와이어의 형상변화
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0