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전처리된 사파이어 기판에 성장한 GaN의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
Electrical Transports of N-Type GaN Epilayers
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
기판의 이온빔 전처리에 의한 GaN 에피층의 특성연구
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향
한국재료학회지
2001 .01
열처리를 통한 GaN박막의 응력완화 효과
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
Excimer Laser-Assisted In Situ Phosphorous Doped Si(1-x)Gex Epilayer Activation
[ETRI] ETRI Journal
2003 .08
Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
CRYSTALLINITY OF GaN EPILAYERS ON GaN BUFFER GROWN BY MOCVD
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
Gan , InGaN / GaN 에피층의 광펌핑에 의한 자극방출 특성 ( Stimulated Emission from Optically Pumped GaN , InGaN / GaN Epilayers )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
GaN, InGaN/GaN 에피층의 광펌핑에 의한 자극방출 특성
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
AlGaN/GaN 에피층의 비정상적인 광발광과 Persistent Photoconductivity 현상
한국재료학회지
2003 .01
HVPE를 이용한 사파이어 기판 위에 GaN의 성장연구 ( Study of Thick GaN Film On Sapphire Using HVPE System )
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
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