Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD

In Hwan Lee ,  Cheul Ro Lee ,  Seong Jin Son 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성

진정근 ,  이승재 ,  김강호 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01

Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer

이철로 ,  손성진 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

PEMBE로 성장시킨 Mn-doped GaN 박막의 특성

허광수 ,  박민철 ,  명재민

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD

노삼규 ,  이철로 ,  박성은 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향

조용석 ,  고의관 ,  박용주 외 4명

한국재료학회지

2001 .01

GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구

이재석 ,  진정근 ,  변동진 외 3명

한국재료학회지

2004 .01

PEMBE를 이용한 Mg, Mn codoped GaN 박막의 특성

정민창 ,  임상욱 ,  함문호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

Electrical Transports of N-Type GaN Epilayers

정명구 ,  조현경 ,  이형재

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD

이재승 ,  배성범 ,  함성호 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

$N^+$이온주입된 사파이어 (0001)기판이 GaN epilayer에 미치는 영향

조용석 ,  변동진 ,  박용주 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

Time Evolution of a High-temperature GaN EpilayerGrown on a Low-temperature GaN Buffer Layerusing a Low-pressure MOCVD

조성일 ,  권명석 ,  장경화

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2006 .01

CRYSTALLINITY OF GaN EPILAYERS ON GaN BUFFER GROWN BY MOCVD

Lee ,  Cheul-Ro ,  Lee 외 7명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN

손호기 ,  이영진 ,  김진호 외 3명

전기전자재료학회논문지

2016 .01

GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구

강이구 ,  강호철 ,  이정훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

열처리를 통한 GaN박막의 응력완화 효과

강경태 ,  변동진 ,  강민구 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE

H. D. Cho ,  G. S. Eom ,  C. B. Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD

Bae Yong Kim ,  Jeong Hoon Yi ,  Doo Hyeb Yoon 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성

강민구 ,  진정근 ,  이재석 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01