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엄다일 (서울대학교 재료공학부) 전인상 (서울대학교 재료공학부) 노상용 (서울대학교 재료공학부) 황철성 (서울대학교 재료공학부) 김형준 (서울대학교 재료공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
발행연도
2003.1
수록면
57 - 57 (1page)

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High dielectric constant materials (high K) have attracted a great deal of interest because of the dramatic scaling down of DRAM capacitor reaching its physical limit in terms of reduction of thickness. Among high-K materials that can replace silicon dioxide, tantalum pentoxide (Ta2O5) thin film, with their high dielectric constant (∼25) and good step coverage, is the candidate of choice.

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