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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제9호
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2003.1
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We investigated the electrical characterisitics of Ta2O5(tantalum pentoxide) film and Ti-O/Ta2O5 film deposited on Al2O3 based substrate. Ta (tantalum) electrode and Al2O3 substrate was used for the purpose of simplifying the manufacturing process in IPD's (integrated passive devices). Dielectric materials (Ta2O5 and Ti-O/Ta2O5 films) deposited on Ta/Ti/Al2O3 were annealed at 700 ℃ for 60 sec. in vacuum. The XRD results showed that as-deposited Ta2O5 film possessed amorphous structure, which was transformed to crystallines by rapid thermal heat treatment. We compared the lnJ-E1/2, C-V, C-F of both as-deposited and annealed dielectric thin films deposited on Ta bottom electrode. From this results, we concluded that the leakage current could be reduced by introducing Ti-O buffer layer and conduction mechanisms of Ta2O5 and Ti-O/Ta2O5 could be interpreted appropriately by Schottky emission effect.

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