Gate dielectric SiO2 film deposition on poly Silicon using UV-excited ozone gas without heating substrate.

Kameda, Naoto; Nishiguchi, Tetsuya; Morikawa, Yoshiki; Kekura, Mitsuru; Nonaka, Hidehiko; Ichimura, Shingo

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저자정보: Kameda, Naoto (R&D center, Meidensha Corporation, Reseach Institute of Instrumentation Frontier, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [AIST]) Nishiguchi, Tetsuya (R&D center, Meidensha Corporation, Reseach Institute of Instrumentation Frontier, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [AIST]) Morikawa, Yoshiki (R&D center, Meidensha Corporation) Kekura, Mitsuru (R&D center, Meidensha Corporation) Nonaka, Hidehiko (Reseach Institute of Instrumentation Frontier, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [AIST]) Ichimura, Shingo (Reseach Institute of Instrumentation Frontier, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [AIST])

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호

발행연도: 2007.1

수록면: 915 - 918 (4page)

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We have grown $SiO_2$ film on a polycrystalline Si layer using excited ozone gas, which is produced by ultra-violet light irradiation to ozone gas, without heating substrate. The obtained $SiO_2$ film shows dielectric properties comparable to the device quality films measured at the MIS capacitor configuration.

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