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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
강현구 (한양대학교 Nano SOI 공정 연구실) 김성준 (한양대학교 Nano SOI 공정 연구실) 백운규 (한양대학교 세라믹 공학과) 박재근 (한양대학교 Nano SOI 공정 연구실)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
발행연도
2003.1
수록면
61 - 61 (1page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2003

세리아 슬러리를 사용한 화학적 기계적 연마에서 계면활성제의 농도에 따른 나노토포그래피의 스펙트럼 분석
강현구 ,  김성준 ,  백운규 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

2002

세리아 슬러리를 사용한 화학적 기계적 연마에서 연마재의 형태와 계면활성제의 농도가 미치는 영향
강현구 ,  백운규 ,  박재근 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료
향상된 단면연마 실리콘 웨이퍼가 화학적 기계적 연마에서 나노토포그래피에 미치는 영향의 스펙트럼 분석
강현구 ,  이원모 ,  박재근 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료

초록· 키워드

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CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 VLSI의 제조공정에서 실리콘웨이퍼의 절연막내에 있는 토포그래피를 제어할 수 있는 광역 평탄화 기술이다. 또한 최근에는 실리콘웨이퍼의 나노토포그래피(Nanotopography)가 STI의 CMP 공정에서 연마 후 필름의 막 두께 변화에 많은 영향을 미치게 됨으로 중요한 요인으로 대두되고 있다. STI CMP에 사용되는 CeO$_2$ 슬러리에서 첨가되는 계면활성제의 농도에 따라서 나노토포그래피에 미치는 영향을 제어하는 것이 필수적 과제로 등장하고 있다. 본 연구에서는 STI CMP 공정에서 사용되는 CeO$_2$ 슬러리에서 계면활성제의 농도에 따른 나노토포그래피의 의존성에 대해서 연구하였다. 실험은 8 "단면연마 실리콘웨이퍼로 PETEOS 7000$\AA$이 증착 된 것을 사용하였으며, 연마 시간에 따른 나노토포그래피 의존성을 알아보기 위해 연마 깊이는 3000$\AA$으로 일정하게 맞췄다. 그리고 CMP 공정은 Strasbaugh 6EC를 사용하였으며, 패드는 IC1000/SUBA4(Rodel)이다. 그리고 연마시 적용된 압력은 4psi(Pounds per Square Inch), 헤드와 정반(table)의 회전속도는 각각 70rpm이다 슬러리는 A, B 모두 CeO$_2$ 슬러리로 입자크기가 다른 것을 사용하였고, 농도를 달리한 계면활성제가 첨가되었다. CMP 전 후 웨이퍼의 막 두께 측정은 Nanospec 180(Nanometrics)과 spectroscopic ellipsometer (MOSS-ES4G, SOPRA)가 사용되었다.

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