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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제4호
- 발행연도
- 1995.1
- 수록면
- 1,105 - 1,109 (5page)
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GaN epilayers have been grown on the GaN nucleation layers grwon as the flow rate of TMG decreases by metal organic chemical vapour deposition(MOCVD). The size of GaN droplets including amphorous state became fine as the flow rate of TMG(10.0, 8.0, 6.0, 4.0 SCCM respectively) decreases during growing the nucleation layers for the same thickness. The surface morphology and crystallinity of the epilayers characterized by FWHM of DCX are depend on the TMG flow rate during for the GaN nucleation layers. The GaN epilayers grwon on the nucleation layer with 8.0 SCCM exhibits the best crystallinity.
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