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저자정보
Um, Myung-Yoon (School of Materials Science and Engineering, Seoul National University) Lee, Seok-Kiu (School of Materials Science and Engineering, Seoul National University) Kim, Hyeong-Joon (School of Materials Science and Engineering, Seoul National University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 학술대회 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
발행연도
2000.1
수록면
157 - 158 (2page)

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In this study, to get the larger drain current of the device under the same operation condition as the conventional gate dielectric SiNx thin film transistor devices, we introduced new gate dielectric $Ta_2O_5$ thin film which has high dielectric constant $({\sim}25)$ and good electrical reliabilities. For the application for the TFT device, we fabricated the $Ta_2O_5$ gate dielectric TFT on the low-temperature-transformed polycrystalline silicon thin film using the self-aligned implantation processing technology for source/drain and gate doping. The $Ta_2O_5$ gate dielectric TFT showed better electrical performance than SiNx gate dielectric TFT because of the higher dielectric constant.

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