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저자정보
Kim, Byeong-Hoon (Dept. of Electronics Engineering, Konkuk University) Pi, Jae-Eun (Dept. of Electronics Engineering, Konkuk University) Oh, Min-Woo (Dept. of Electronics Engineering, Konkuk University) Tao, Ren (Dept. of Electronics Engineering, Konkuk University) Oh, Hwan-Sool (Dept. of Electronics Engineering, Konkuk University) Park, Kee-Chan (Dept. of Electronics Engineering, Konkuk University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
1,243 - 1,246 (4page)

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A novel a-Si TFT integrated gate driver circuit which suppresses the threshold voltage shift due to prolonged positive gate bias to pull-down TFTs, is reported. Negative gate-to-drain bias is applied alternately to the pull-down TFTs to recover the threshold voltage shift. Consequently, the stability of the circuit has been improved considerably.
#Gate driver #Threshold voltage #Negative gate bias #Stress #Recovery

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