Threshold voltage control in dual gate ZnO-based thin film transistors

Park, Chan-Ho; Lee, Ki-Moon; Lee, Kwang-H.; Lee, Byoung-H.; Sung, Myung-M.; Im, Seong-Il

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저자정보: Park, Chan-Ho (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University) Lee, Ki-Moon (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University) Lee, Kwang-H. (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University) Lee, Byoung-H. (Department of Chemistry, Hanyang University) Sung, Myung-M. (Department of Chemistry, Hanyang University) Im, Seong-Il (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 527 - 530 (4page)

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We report on the fabrication of ZnO-based dual gate (DG) thin-film transistors (TFTs) with 20 nm-thick $Al_2O_3$ for both top and bottom dielectrics, which were deposited by atomic layer deposition on glass substrates at $200^{\circ}C$. Whether top or bottom gate is biased for sweep, our TFT almost symmetrically operates under a low voltage of 5 V showing a field mobility of ~0.4 $cm^2/V{\cdot}s$ along with the on/off ratio of $5{\times}10^4$. The threshold voltage of our DG TFT was systematically controlled from 0.5 to 2.0 V by varying counter gate input from +5 to -2 V.

#ZnO #TFT #dual gate #atomic layer deposition #ALD)

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Park, Chan-Ho

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Lee, Ki-Moon

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