Direct deposition technique for poly-SiGe thin film achieving a mobility exceeding 20 $cm^2$/Vs with ~30 nm thick bottom-gate TFTs

Lim, Cheol-Hyun; Hoshino, Tatsuya; Hanna, Jun-Ichi

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Lim, Cheol-Hyun (Imaging science and engineering Lab., Tokyo institute of technology) Hoshino, Tatsuya (Imaging science and engineering Lab., Tokyo institute of technology) Hanna, Jun-Ichi (Imaging science and engineering Lab., Tokyo institute of technology)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 1,028 - 1,031 (4page)

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High quality poly-SiGe thin films were prepared on 6-inch substrates using Reactive-thermal CVD with $Si_2H_6$ and $GeF_4$ around at $500^{\circ}C$ directly. Its thickness uniformity was ~ 3% on the entire substrate area. N-channel mobility of ~30 nm thick bottom-gate TFTs exceeded 20 $cm^2$/Vs without any further crystallization.

#Reactive-thermal CVD #Polycrystalline silicon germanium #Poly-SiGe Bottom-gate #TFT #Direct deposition

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Lim, Cheol-Hyun

소속기관 Imaging science and engineering Lab., Tokyo institute of technology

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 1 이용수 1

Hoshino, Tatsuya

소속기관 Imaging science and engineering Lab., Tokyo institute of technology

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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Hanna, Jun-Ichi

소속기관 Imaging science and engineering Lab., Tokyo institute of technology

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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