Improvement of the On-Current for the Symmetric Dual-Gate TFT Structure by Floating N+ Channel

LEE, Dae-Yeon; Hwang, Sang-Jun; Park, Sang-Won; Sung, Man-Young

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저자정보: LEE, Dae-Yeon (Dept. of Electrical Engineering, Korea University) Hwang, Sang-Jun (Dept. of Electrical Engineering, Korea University) Park, Sang-Won (Dept. of Electrical Engineering, Korea University) Sung, Man-Young (Dept. of Electrical Engineering, Korea University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I

발행연도: 2005.1

수록면: 342 - 344 (3page)

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We have simulated a symmetric dual-gate TFT which has triple floating n+ channel to improve the on-current of the dual-gate TFT. We achieved a low hole concentration at the source and channel junction causes the improvement the potential barrier so that we observed the reduction of the kink-effect. In this paper, we observed the reduction of the kink-effect compared with the conventional single-gate TFT and the improvement of the on-current compared with the conventional dual-gate TFT.

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