CZ 실리콘 표면 상태에 미치는 산소 농도 및 열처리 영향 ( The Effects of Oxygen Concentration and Heat Treatment on the Surface Quality of CZ Silicon )

양두영 ,  김오현 ,  이희국

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

소자 분야 - CZ방법에 의한 성장된 실리콘에서 산소 석출물의 성장 / 감소에 관한 모델 및 해석

고봉균 ,  곽규달

전자공학회논문지-D

1998 .10

수평자장 하에서 성장된 CZ 실리콘 단결정의 산소 분포 및 석출거동

김경민 ,  최광수 ,  이문희

한국재료학회지

1992 .01

Cz-Si wafer 내부에 발생하는 Thermal donors의 전기적 특성에 관한 연구

강희성 ,  권영규

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Cz-Si wafer 내부에 발생하는 Thermal donor의 전기적 특성에 관한 연구 ( The study on a electrical properties of the Thermal Donors in Cz-Si )

강희성 ,  권영규

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Investigation of Grown-In Defects Distribution in CZ Single Crystal

황돈하 ,  이보영 ,  유학도

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

열처리 조건이 Thermal Donors의 발생과 CZ-Si의 전기적 특성에 미치는 효과

강희성 ,  안창근 ,  권영규

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

ION IMPLANTATION ON INDUSTRIAL CZ P-TYPE SILICON FOR SCREEN PRINTED SOLAR CELLS

Ji-sun Kim ,  Ji-soo Kim ,  Yeon-hee Hwang 외 3명

AFORE

2013 .11

Present Status of Buried Contact Solar Cell Research in Strategic Energy Research Institute (SERI)

Soo-Hong Lee

한국태양에너지학회 학술대회논문집

2004 .10

CZ SILICON CRYSTAL GROWTH AND SILICON WAFERS FOR VLSI / ULSI DEVICE APPLICATIONS

Kyung Min Kim

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01

열처리조건이 Thermal Donors 의 발생과 CZ-Si의 전기적 특성에 미치는 효과 ( The Effect of Annealing Conditions on Formation of the Thernal Donors and Electrical Properties of CZ-Si )

강희성 ,  안창근 ,  권영규

대한전자공학회 학술대회

1995 .07

CHARACTERIZATION OF BORON-DOPED CZ SILICON MATERIAL THROUGH SIMULATED NMOS THERMAL CYCLE

K. H. Cho ,  S. K. Hahn ,  Zofia U. Rek

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

긴 시간지연을 갖는 단결정 실리콘 성장기(Crystal Grower-FF CZ150)의 자동 직경 제어 시스템

박종식 ,  김종훈 ,  양승현 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .07

결정질 실리콘 태양전지의 광열화 현상

탁성주 ,  김영도 ,  김수민 외 2명

신·재생에너지

2012 .03

Cz-TPD를 음극접합층으로한 OELD의 발광특성

최완지 ,  조민정 ,  박철현 외 4명

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .11

산화 적층 결함의 생성 , 성장 및 소멸에 관한 연구 - 제 2 부 : P형 CZ 실리콘에서 산화 적층 결함의 소멸에 미치는 SiO2 층의 역할 ( A Study on Nucleation , Growth and Shrinkage of Oxidation Induced Stacking Faults ( OSF ) - Part 2 : Role of SiO2 Layer on the Shrinkage of Oxidation Induced Stacking Faults ( OSF ) in P-type CZ Silicon )

김용태 ,  민석기

전자공학회논문지

1988 .07

Ni 담지 CeZrO 촉매상에서 프로판의 자열개질반응

공진화 ,  박남국 ,  김영철

화학공학

2013 .01

태양전지용 단결정 실리콘 잉곳 생산성 증대를 위한 초크랄스키 공정 최적 설계

이은국 ,  정재학

화학공학

2011 .01

실리콘 에칭 모델링

구민

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2009 .05