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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국신재생에너지학회 신·재생에너지 신재생에너지 제8권 제1호
발행연도
2012.3
수록면
24 - 34 (11page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2012

결정질 실리콘 태양전지의 광열화 현상
탁성주 ,  김영도 ,  김수민 외 2명 신·재생에너지 2012.03 학술저널

2011

후면 에미터 구조의 n-type 결정질 실리콘 태양전지 제작 및 최적화 연구
탁성주 ,  김영도 ,  박성은 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2011.01 학술대회자료

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The main issue of boron doped p-type czochralski-grown silicon solar cells is the degradation when they are exposed to light or minority carriers injection. This is due to the meta-stable defect such as boron-oxygen in the Cz-Si material. Although a clear explanation is still researching, recent investigations have revealed that the Cz-Si defect is related with the boron and the oxygen concentration. They also revealed how these defects act a recombination centers in solar cells using density function theory (DFT) calculation. This paper reviews the physical understanding and gives an overview of the degradation models. Therefore, various methods for avoiding the light-induced degradation in Cz-Si solar cells are compared in this paper.
#광열화 현상 #태양전지 #실리콘 #보론 도핑된 쵸크랄스키 실리콘 #불순물 결합 #소수반송자수명 #Light induced degradation #Solar cells #Silicon #Boron doped Cz-Si #Defect pair #Carrier lifetime

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참고문헌 (36)

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1. [학술지(정기간행물)] - J. Zhao / 1998 / 19.8% Efficient “Honeycomb” Textured Multicrystalline and 24.4% Monocrystalline Silicon Solar Cells / Appl. Phys. Lett 73 : 1991 ~ 1993 google schola 2. [학술대회논문] - J. Knobloch / 1995 / / Proc. 13th European PVSEC : 9 ~ google schola 3. [학술대회논문] - S. Sterk / 1997 / / Proc. 14th European PVSEC : 85 ~ google schola 4. [학술대회논문] - A. Herguth / 2006 / Avoiding boron-oxygen related degradation in highly boron doped Cz silicon / 21st EU-PVSEC : 530 ~ 537 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Karsten Bothea / 2006 / Electronically activated boron-oxygen related recombination centers in crystalline silicon / J. Appl. phys 99 : 013701 ~ google schola

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