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MBE 를 이용한 성장조건에 따른 Mg-doped GaN 특성변화 조사
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
MBE에서 buffer층 성장조건이 GaN 특성에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
2000 .01
The Properties of GaN on Porous Si Grown by MBE
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Si(111) 기판위에 암모니아 MBE 방법으로 성장시킨 GaN의 광학적, 구조적 특성 연구
한국재료학회 학술발표대회
2000 .01
MBE
대한전자공학회 단기강좌
1986 .01
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .01
활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
한국재료학회지
2001 .01
PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석
한국표면공학회지
2003 .04
Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Plasma-assisted MBE 를 이용한 GaN/sapphire 단일층의 성장과 분석
한국통신학회 기타 간행물
2009 .12
High Quality GaN Growth on ( 0001 ) Al2O3 by ion-Extracted ECR-MBE
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Effects on Optical Characteristics of GaN Polarity Controlled by Substrate
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .06
MBE 기술 개발 동향
[ETRI] 전자통신동향분석
1987 .09
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