지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
등록된 정보가 없습니다.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
-
MOCVD를 이용한 Si(001) 기판 위에 GaAs 박막 성장 및 분석
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2018 .11
-
Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .01
-
활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
한국재료학회지
2001 .01
-
Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
-
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
TEM을 이용한 저온성장된 GaN박막의 결함분석
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Plasma Enhancd MOCVD법에 의해 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 위에 제조된 $Ba_{x}Sr_{1-x}TiO_3$박막의 전기적 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구
한국재료학회지
1999 .01
-
MOCVD법으로 다양한 기판위에 성장한 ZnO 박막의 광학적, 구조적 특성 평가
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
-
PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
GaN 박막 성장에 미치는 성장조건과 기판의 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
HF 크리닝 처리한 코발트실리사이드 버퍼층 위에 PA-MBE로 성장시킨 GaN의 에피택시
한국산학기술학회 논문지
2010 .02
-
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
이재승
,
배성범
,
함성호
외 4명
대한전자공학회 학술대회
1998
.01
Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD
Bae Yong Kim
,
Jeong Hoon Yi
,
Doo Hyeb Yoon
외 3명
대한전자공학회 학술대회
1996
.01
MOCVD를 이용한 ZnO 나노구조의 성장과 특성 분석 (Foramation of ZnO nanostructure and properties)
정민창
,
오병윤
,
이웅
외 1명
한국진공학회 학술발표회초록집
2004
.08
GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )
신창용
,
백병준
대한기계학회 춘추학술대회
2001
.01
Si(111) 기판에 형성한 GaN Nanowire의 성장 매커니즘 분석
노시윤
,
최일규
,
한상문
외 5명
한국진공학회 학술발표회초록집
2019
.08
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-581-015059064