Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE

H. D. Cho ,  G. S. Eom ,  C. B. Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MBE에서 buffer층 성장조건이 GaN 특성에 미치는 영향

이상현 ,  김경현 ,  강석준 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2000 .01

MBE 를 이용한 성장조건에 따른 Mg-doped GaN 특성변화 조사

최아리 ,  김도진

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

The Properties of GaN on Porous Si Grown by MBE

박창수 ,  박승호 ,  지창순 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Si(111) 기판위에 암모니아 MBE 방법으로 성장시킨 GaN의 광학적, 구조적 특성 연구

강석준 ,  김경현 ,  이상현 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2000 .01

Plasma-assisted MBE 를 이용한 GaN/sapphire 단일층의 성장과 분석

임재문 ,  박창영 ,  박광욱 외 1명

한국통신학회 기타 간행물

2009 .12

Comparison analysis of superconducting solenoid magnet systems for ECR ion source based on the evolution strategy optimization

Wei ,  Shaoqing ,  Lee 외 1명

한국초전도·저온공학회논문지

2015 .01

MBE 기술 개발 동향

이재진 ,  맹성재 ,  김진섭

[ETRI] 전자통신동향분석

1987 .09

Thermal Activation Energies of GaN:Mg grown via MBE and MOCVD techniques

류대열 ,  김도진 ,  이석헌 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

이온에너지분석에 의한 ECR 플라즈마의 특성및 식각특성 연구

이호준 ,  이석현 ,  황기웅

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

MBE의 제작 및 Si 박막 성장

변상섭 ,  이영화 ,  이호일 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

최대 효율을 갖는 무선전력전송용 ECR장치 설계

김성완 ,  김창선

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .07

이온에너지분석에 의한 Ecr 플라즈마의 특성 및 식각특성 연구 ( A Study on the Properties of Ecr Plasma and Its Etching Characteristics by Ion Energy Analysis )

이호준 ,  이석현 ,  황기웅

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

ECR 용 최적 마그네트에 관한 연구

김윤택 ,  김용주 ,  김교순 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1992 .07

ECR-PECVD법으로 증착된 $Al_{2}O_3$ 절연 박막의 특성에 관한 연구

이재균 ,  전병혁 ,  이원종

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

Sputtering and MBE Process

김봉열

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01