Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD

In Hwan Lee ,  Cheul Ro Lee ,  Seong Jin Son 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성

진정근 ,  이승재 ,  김강호 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01

Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD

Bae Yong Kim ,  Jeong Hoon Yi ,  Doo Hyeb Yoon 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD

이재승 ,  배성범 ,  함성호 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Time Evolution of a High-temperature GaN EpilayerGrown on a Low-temperature GaN Buffer Layerusing a Low-pressure MOCVD

조성일 ,  권명석 ,  장경화

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2006 .01

GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향

조용석 ,  고의관 ,  박용주 외 4명

한국재료학회지

2001 .01

GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )

신창용 ,  백병준

대한기계학회 춘추학술대회

2001 .01

Substrate Dependence of $CeO_2$ and $Yb_2O_3$ Buffer Layers Prepared by MOCVD Method

Jun ,  Byung-Hyuk ,  Choi 외 9명

한국초전도학회 High Temperature Superconductivity

2005 .01

Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석

신희연 ,  정성훈 ,  유지범 외 2명

한국표면공학회지

2003 .04

Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer

이철로 ,  손성진 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN

S. K. Kang ,  H. K. Cho ,  M. W. Pa 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

AlGaN/GaN 전력소자 내부 GaN Buffer Layer의 전기적 결함 추출 방법에 관한 연구

최효승 ,  정훈 ,  장승엽 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

The Growth of GaN on a Si Substrate using AIN Buffer Layer

송복식 ,  김영호 ,  정성훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Effects of the Al2O3 Substrate Pretreatment by Nitrogen Plasma on the Growth of Low-Temperature GaN Buffer Layers

김민홍 ,  손철수 ,  이재형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE

H. D. Cho ,  G. S. Eom ,  C. B. Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MOCVD법으로 버퍼층을 활용한 ZnO 박막 제조

박재영 ,  이동주 ,  윤영수 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2004 .01

공명 투과 구조의 MOCVD 성장 및 특성에 관한 연구 ( A Study on the MOCVD Growth and Characterization of Resonant Tunneling Structures )

유정호 ,  서광석

한국통신학회논문지

1993 .07

PSS 상 버퍼층 종류에 따른 GaN 박막 성장 특성 비교

이창민 ,  강병훈 ,  김대식 외 1명

한국재료학회지

2014 .01

AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구

백호선 ,  이정욱 ,  김하진 외 1명

한국재료학회지

1999 .01

활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과

이상진 ,  변동진 ,  홍창희 외 1명

한국재료학회지

2001 .01