MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성

진정근 ,  이승재 ,  김강호 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01

GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )

신창용 ,  백병준

대한기계학회 춘추학술대회

2001 .01

Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD

손성진 ,  이철로 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD

In Hwan Lee ,  Cheul Ro Lee ,  Seong Jin Son 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석

신희연 ,  정성훈 ,  유지범 외 2명

한국표면공학회지

2003 .04

활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과

이상진 ,  변동진 ,  홍창희 외 1명

한국재료학회지

2001 .01

Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD

Bae Yong Kim ,  Jeong Hoon Yi ,  Doo Hyeb Yoon 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN

S. K. Kang ,  H. K. Cho ,  M. W. Pa 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

MOCVD에 의한 신기능소자 , 제조기술개발 ( Development of New Functional Device by MOCVD )

김무성 ,  김현수 ,  김은규 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Mocvd 에 의한 신기능소자 제조기술개발 ( Development of New Functional Device by MOCVD )

김무성 ,  김현수 ,  김은규 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

Time Evolution of a High-temperature GaN EpilayerGrown on a Low-temperature GaN Buffer Layerusing a Low-pressure MOCVD

조성일 ,  권명석 ,  장경화

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2006 .01

Thermal Activation Energies of GaN:Mg grown via MBE and MOCVD techniques

류대열 ,  김도진 ,  이석헌 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

MOCVD를 이용한 InGnN/GaN 기반 발광다이오드 구조 제작과 발광다이오드에의 응용

주진우 ,  강은실 ,  백종협 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2007 .01

In-situ MOCVD Cu/MOCVD TiN 형성 공정에 관한 연구

최정환 ,  박상기 ,  이재갑

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD

박현규 ,  강호재 ,  진정근 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD

노삼규 ,  이철로 ,  박성은 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE

H. D. Cho ,  G. S. Eom ,  C. B. Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

광추출 효율 개선을 위한 p-GaN roughening 에피 성장

진정근 ,  정태훈 ,  백종협

한국재료학회 학술발표대회

2007 .01