The Properties of GaN on Porous Si Grown by MBE

박창수 ,  박승호 ,  지창순 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MBE에서 buffer층 성장조건이 GaN 특성에 미치는 영향

이상현 ,  김경현 ,  강석준 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2000 .01

MBE 를 이용한 성장조건에 따른 Mg-doped GaN 특성변화 조사

최아리 ,  김도진

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

MBE의 제작 및 Si 박막 성장

변상섭 ,  이영화 ,  이호일 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE

H. D. Cho ,  G. S. Eom ,  C. B. Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Si MBE를 이용한 양자구조 성장에 관한 연구

황윤택 ,  김홍습 ,  우상정 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

MBE법에 의한 Si ( 100 ) 기판위에 CdTe 박막 성장

한명수 ,  류영선 ,  송병권 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Growth and magnetic properties of $Si_{1-X}Mn_X$ thin films by MBE

찬티난안 ,  유상수 ,  임영언 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

Plasma-assisted MBE 를 이용한 GaN/sapphire 단일층의 성장과 분석

임재문 ,  박창영 ,  박광욱 외 1명

한국통신학회 기타 간행물

2009 .12

Thermal Activation Energies of GaN:Mg grown via MBE and MOCVD techniques

류대열 ,  김도진 ,  이석헌 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AIN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적,광학적 특성

김경현 ,  홍성의 ,  강석준 외 5명

한국재료학회지

2002 .01

이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성

강민구 ,  진정근 ,  이재석 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

HF 크리닝 처리한 코발트실리사이드 버퍼층 위에 PA-MBE로 성장시킨 GaN의 에피택시

하준석 ,  장지호 ,  송오성

한국산학기술학회 논문지

2010 .02

High Quality GaN Growth on ( 0001 ) Al2O3 by ion-Extracted ECR-MBE

Soon Jae Yu ,  Hajime Asahi ,  Kakuya Iwata 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Growth Characteristics of GaN on Si(111) using AlN buffer layer

Jung ,  Sung-Hoon ,  Lee 외 11명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

MBE 기술 개발 동향

이재진 ,  맹성재 ,  김진섭

[ETRI] 전자통신동향분석

1987 .09

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01