지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
등록된 정보가 없습니다.
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
한국재료학회지
2001 .01
RIB 처리된 사파이어 기판을 이용하여 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
2000 .01
Growth of m-plane GaN low temperature buffer on m-place sapphire substrate by gas-sourceMBE : The effect of surface nitridation temperature
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .01
SiO2박막의 열적 질화 ( Thermal Nitridation of Thin SiO2 Film )
전자공학회논문지
1988 .11
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Mg-Doped GaN/Sapphire 구조로 제작된 압전 박막 SAW 필터의 특성분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
고주파 유도 가열에 의한 Si의 열적질화 ( Thermal Nitridation of Si by RF Induction Heating )
전자공학회논문지
1990 .09
Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
급속 열처리에 의한 SiO2의 질화 ( Rapid Thermal Nitridation of SiO2 )
전자공학회논문지
1990 .05
Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석
한국표면공학회지
2003 .04
질화처리의 기초와 질화계처리
열처리공학회지
2008 .01
고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 열질화 효과 ( Thermal Nitridation Effects of Ultrathin Oxides Grown By High Pressure Oxidation )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 열질화 효과
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
0