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이용수
2003
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅴ. 결론
참고문헌
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GaN 압전박막을 이용한 SAW 필터 제조
대한전자공학회 학술대회
2000 .06
MBE 를 이용한 성장조건에 따른 Mg-doped GaN 특성변화 조사
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
Mg도핑된 GaN 반도체 박막의 전자스핀공명
반도체및디스플레이장비학회지
2005 .01
Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
In 코도핑 된 p-GaN의 광학적 특성
한국재료학회지
2008 .01
SAPPHIRE SURFACE MODIFIED BY REACTIVE ION BEAM FOR GaN DEPOSITIONS
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Plasma-assisted MBE 를 이용한 GaN/sapphire 단일층의 성장과 분석
한국통신학회 기타 간행물
2009 .12
GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
GaN 박막의 결정질 향상을 위한 나노급 PSS 기판 제작 공정
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2010 .05
The Properties of Zn- and Mg-Doped GaN Grown by HVPE
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
고농도의 Mg가 도핑된 GaN층을 이용한 GaN계 청자색 레이저다이오드의 동작 전압 감소
전기전자재료학회논문지
2004 .01
Mg-Related Bands in Mg-Doped n-type GaN Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
$MgAl_{2}O_{4}$ 기판위에 GaN의 HVPE 성장조건에 따른 광루미네센스 특성
한국재료학회지
1998 .01
The Growth of GaN Depending on Initial Layers of Sapphire Substrate by Hot Wall Epitaxy
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
Structural Analysis of Asymmetrical Plane of GaN on Sapphire ( 0001 ) Using High Resolution XRD and RBS
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
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