고에너지 이온주입에 의한 Gettering에 관한 연구

장윤택 ,  허태훈 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

MeV 이온빔 분석 기술

김태곤 ,  송종한

고분자 과학과 기술

2003 .02

Atomistic Mechanisms of Secondary Defect Formation and Self-Gettering in a MeV B+ Implanted Silicon

Nam Hoon Cho ,  Jae Sang Ro

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

나트륨등용 Getter

Pie ,  e Elte

조명·전기설비

1989 .06

고에너지-고조사량 이온주입된 실리콘내의 결함 생성 및 Gettering 거동

조남훈 ,  노재상 ,  장기완 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

MeV 이온주입에 의한 $P^{+}$ Buried Layer 형성시 발생하는 결함에 관한 연구

유승한 ,  장윤택 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Gettering Phenomena at Bonding Interfaces

W. S. Yang ,  J. S. Roh ,  W. S. Kim 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1993 .01

낮은 결함 밀도를 갖는 Boron diffused layer를 형성하기 위한 확산, 표면처리 및 Gettering 공정에 관한 연구

한상욱 ,  심경배 ,  박수영 외 3명

한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집

2017 .05

PDP 방전전압 최소화를 위한 getter 재료 개발 연구

황일선 ,  김헌창 ,  정민희 외 1명

한국에너지학회 학술발표회

2005 .11

실리콘에 MeV로 이온주입된 As 와 Sb의 profile과 열처리에의한 이온의 거동에 관한 연구 ( A Study of Profiles and annealing behavior of As and Sb by MeV implantation in silicon )

정원채

전자공학회논문지-D

1998 .03

실리콘 Intrinsic Gettering 기술의 이해와 응용

최광수

한국재료학회지

2004 .01

MeV 이온주입된 실리콘의 열처리시 불순물과 이차결함간의 상호작용

장윤택 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

MeV 이온주입에 의해 형성된 Retrograde Triple well에서 발생하는 결함들의 상호작용

류한권 ,  김대영 ,  노재상 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

Gettering of Extra Si from SiNx Cap Due to Ion Implantation Damage in GaAs

이경호 ,  이재진

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

1 MeV 고에너지로 붕소 ( Boron ) 와 인 ( Phosphorus ) 을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일 ( A Study on Boron and Phosphorus Doping Profile by RTA using 1MeV High Energy Ion Implantation )

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

HCI Gettering Oxidation을 이용한 BJT의 저잡음화에 관한 실험적 연구 ( An Experimental Study on the Low Noise Property of the Bipolar Junction Transistor Fabrication by HCI Gettering )

최세곤 ,  서희돈

전자공학회지

1984 .01

1MeV 고에너지로 붕소(Boron)와 인(Phosphorus)을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

1 MeV argon 이온주입에의해 유기된 결함 및 회복기구의 XTEM 분석 ( XTEM Study of 1 MeV Ion Implantation Induced Defects in Si and Their Annealing Behavior )

김광일 ,  권영규 ,  배영호 외 4명

전자공학회논문지-A

1993 .08

A Critical Behavior of Defect Density as a Function of Ion Dose During the Buried Layer Formation Using 1.5 MeV B Implantations

Yoon Taek Jang ,  Tae Hoon Huh ,  Jae Sang Ro

대한전자공학회 학술대회

1997 .01