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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제11권 제6호
발행연도
2010.1
수록면
253 - 256 (4page)

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Different active layer thicknesses for zinc oxide (ZnO) bottom-contact thin-film transistors (TFTs) were fabricated with a poly-4-vinyphenol polymeric dielectric using injector type atomic layer deposition. The properties of the ZnO TFTs were influenced by the active thickness and width-to-length (W/L) ratio of the device. The threshold voltage of ZnO TFTs shifted positively as the active layer thickness decreased, while the subthreshold slope decreased. The W/L ratio of ZnO TFTs also affected the mobility and subthreshold slope. An optimized TFT structure exhibited an on-tooff current ratio of above 106 with solid saturation.

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