Bottom Gate Microcrystalline Silicon TFT Fabricated on Plasma Treated Silicon Nitride

Huang, Jung-Jie; Chen, Yung-Pei; Lin, Hung-Chien; Yao, Hsiao-Chiang; Lee, Cheng-Chung

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저자정보: Huang, Jung-Jie (Department of Thin-film Transistor Technology, Display Technology Center, Industrial Technology Research Institute [DTC/ITRI]) Chen, Yung-Pei (Department of Thin-film Transistor Technology, Display Technology Center, Industrial Technology Research Institute [DTC/ITRI]) Lin, Hung-Chien (Department of Thin-film Transistor Technology, Display Technology Center, Industrial Technology Research Institute [DTC/ITRI]) Yao, Hsiao-Chiang (Department of Thin-film Transistor Technology, Display Technology Center, Industrial Technology Research Institute [DTC/ITRI]) Lee, Cheng-Chung (Department of Thin-film Transistor Technology, Display Technology Center, Industrial Technology Research Institute [DTC/ITRI])

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2008.1

수록면: 218 - 221 (4page)

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Bottom-gate microcrystalline silicon thin film transistors (${\mu}c$-Si:H TFTs) were fabricated on glass and transparent polyimide substrates by conventional 13.56 MHz RF plasma enhanced chemical vapor deposition at $200^{\circ}C$. The deposition rate of the ${\mu}c$-Si:H film is 24 nm/min and the amorphous incubation layer near the ${\mu}c$-Si:H/silicon nitride interface is unobvious. The threshold voltage of ${\mu}c$-Si:H TFTs can be improved by $H_2$ or $NH_3$ plasma pretreatment silicon nitride film.

#microcrystalline silicon #PECVD #thin film transistor

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Chen, Yung-Pei

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Yao, Hsiao-Chiang

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