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저자정보
Lee, Yeong-Shyang (AUO Technology Center, AU Optronics Corporation) Chang, Jun-Kai (AUO Technology Center, AU Optronics Corporation) Lin, Chiung-Wei (Institute of Electro-Optical Engineering, Tatung University) Shih, Ching-Chieh (AUO Technology Center, AU Optronics Corporation) Tsai, Chien-Chien (AUO Technology Center, AU Optronics Corporation) Fang, Kuo-Lung (AUO Technology Center, AU Optronics Corporation) Lin, Hun-Tu (AUO Technology Center, AU Optronics Corporation) Gan, Feng-Yuan (AUO Technology Center, AU Optronics Corporation)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
729 - 732 (4page)

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The effect of stress match between silicon nitride ($SiN_2$) and hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers on the electrical characteristics of thin-film transistors (TFTs) has been investigated. The result shows that modifying the deposition conditions of a Si:H and $SiN_2$ thin films can reduce the stress mismatch at a-Si:H/SiNx interface. Moreover, for best a-Si:H TFT characteristics, the internal stress of gate $SiN_2$ layer with slightly nitrogen-rich should be matched with that of a-Si:H channel layer. The ON current, field-effect mobility, and stability of TFTs can be enhanced by controlling the stress match between a-Si:H and gate insulator. The improvement of these characteristics appears to be due to both the decrease of the interface state density between the a-Si:H and SiNx layer, and the good dielectric quality of the bottom nitride layer.

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