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학술대회자료
저자정보
Park, J.W. (School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, K.C. (School of Electrical Engineering, Seoul National University) Han, M.K. (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 학술대회 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
발행연도
2000.1
수록면
67 - 68 (2page)

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Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFT's) employing vertical amorphous silicon (a-Si) offsets have been fabricated without additional photolithography processes. The a-Si offset has been formed utilizing the poly-Si grain growth blocking effect by thin native oxide film during the excimer laser recrystallization of a-Si. The ON current degradation of the new device after 4 hour's electrical stress was reduced by 5 times compared with conventional poly-Si TFT's.

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