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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 228 - 231 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
2006
2004
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This paper briefly introduces silicon based thin film solar cells: amorphous (a-Si:H), microcrystalline {mu}c-Si:H single junction and a-Si:H/{mu}c-Si:H tandem solar cells. The major difference of a-Si:H and {mu}c-Si:H cells comes from electro-optical properties of intrinsic Si-films (active layer) that absorb incident photon and generate electron-hole pairs. The a-Si:H film has energy band-gap (Eg) of 1.7-1.8eV and solar cells incorporating this wide Eg a-Si:H material as active layer commonly give high voltage and low current, when illuminated, compared to {mu}c-Si:H solar cells that employ low Eg (1.1eV) material. This Eg difference of two materials make possible tandem configuration in order to effectively use incident photon energy. The a-Si:H/{mu}c-Si:H tandem solar cells, therefore, have a great potential for low cost photovoltaic device by its various advantages such as low material cost by thin-film structure on low cost substrate instead of expensive c-Si wafer and high conversion efficiency by tandem structure. In this paper, the structure, process and operation properties of Si-based thin-film solar cells are discussed.
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