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저자정보
에치크 수아드 (Changwon National University) 김홍주 (Changwon National University) 김도훈 (Changwon National University) 권순우 (Changwon National University) 하판봉 (Changwon National University) 김영희 (Changwon National University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제26권 제3호
발행연도
2022.9
수록면
90 - 97 (8page)

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조도센서 칩은 아날로그 회로의 트리밍이나 디지털 레지스터의 초기 값을 셋팅하기 위해 소용량의 eFuse(electrical Fuse) OTP(One-Time Programmable) 메모리 IP(Intellectual Property)를 필요로 한다. 본 논문에서는 1.8V LV(Low-Voltage) 로직 소자를 사용하지 않고 3.3V MV(Medium Voltage) 소자만 사용하여 128비트 eFuse OTP IP를 설계하였다. 3.3V 단일 MOS 소자로 설계한 eFuse OTP IP는 1.8V LV 소자의 gate oxide 마스크, NMOS와 PMOS의 LDD implant 마스크에 해당되는 총 3개의 마스크에 해당되는 공정비용을 줄일 수 있다. 그리고 1.8V voltage regulator 회로가 필요하지 않으므로 조도센서 칩 사이즈를 줄일 수 있다. 또한 조도센서 칩의 패키지 핀 수를 줄이기 위해 프로그램 전압인 VPGM 전압을 웨이퍼 테스트 동안 VPGM 패드를 통해 인가하고 패키징 이후는 PMOS 파워 스위칭 회로를 통해 VDD 전압을 인가하므로 패키지 핀 수를 줄일 수 있다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 모의실험 및 레이아웃 결과
Ⅳ. 결론
References

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