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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제4호
발행연도
2009.7
수록면
288 - 295 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

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본 논문은 확산펌프 기반의 축전 결합형 BCl3 플라즈마를 사용하여 GaAs와 AlGaAs를 건식 식각한 연구에 관한 것이다. 실험에서 사용한 압력 범위는 50~180 mTorr, CCP 파워는 50~200 W, BCl₃ 가스 유량은 2.5~10 sccm 이었다. 식각 후에 GaAs와 AlGaAs의 식각 속도와 표면 거칠기분석은 표면 단차 측정기를 이용하여 하였다. GaAs의 식각 벽면과 표면 상태는 전자현미경으로 분석하였다. 식각 중 플라즈마의 광 특성 분석은 광학 발광 분석기를 이용하였다. 본 실험을 통하여 5 sccm의 소량의 BCl₃ 가스 유량으로 공정 압력이 130 mTorr이내인 경우에는, 100 W CCP 파워의 조건에서 GaAs는 약 0.25 ㎛/min 이상의 우수한 식각 속도를 얻을 수 있었다. AlGaAs의 경우는 GaAs의 식각 속도보다 조금 낮았다. 그러나 같은 유량에서 공정압력이 180 mTorr로 높아지면 GaAs와 AlGaAs의 식각 속도가 급격히 감소하여 거의 식각되지 않는 것을 알 수 있었다. 또한 CCP 파워의 경우에는 50 W의 파워에서는 GaAs와 AlGaAs 모두 거의 식각되지 않았다. 그러나 100~200 W의 조건에서는 0.3 ㎛/min 이상의 높은 식각 속도를 주었다. 두 결과를 보았을 때 축전결합형 BCl₃ 플라즈마 식각에서 GaAs와 AlGaAs의 식각 속도는 CCP 파워가 100~200 W 범위에 있으면 그 값에 비례하지 않고 거의 일정한 값이 된다는 사실을 알았다. 75mTorr, 100 W의 CCP 파워 조건에서 BCl3의 유량 변화에 따른 GaAs와 AlGaAs의 식각 속도의 경우, BCl₃의 유량이 2.5 sccm의 소량일 때는 GaAs는 식각 속도가 높았지만 AlGaAs는 거의 식각되지 않는 흥미로운 결과를 얻었다. 플라즈마 발광 특성을 보면 BCl₃ 축전 결합 플라즈마는 주로 500~700 nm 범위를 가지는 넓은 분자 피크만 만든다는 것을 알 수 있었다. 전자 현미경 사진 결과에서는 5 sccm과 10 sccm의 BCl₃ 플라즈마 모두 식각 중에 GaAs의 벽면을 언더컷팅 하였으며, 10 sccm의 BCl₃ 유량을 사용하였을 때 언더컷팅이 더 심했다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (15)

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