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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제3호
발행연도
2000.9
수록면
258 - 262 (5page)

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YMnO₃ 박막은 고주파 스퍼터를 사용하여 Si(100)과 Y₂O₃/Si(100) 기판에 증착하였다. 증착 시에 산소 분압의 조건과 열처리 온도는 YMnO₃ 박막의 결정성과 그 메모리 윈도우의 특성에 매우 중요한 영향을 주었다. XRD 측정 결과 산소 분압 0%에서 증착후 870℃에서 1시간 동안 후열처리한 YMnO₃ 박막은 c-축을 따라 매우 잘 배향 되었음을 확인하였다. 반면 산소분압 20%에서 Si(l00)과 Y₂O₃/Si(100) 기판위에 증착된 YMnO₃ 박막의 결정화는 XRD 측정 결과 Y₂O₃ peak가 보이는 것으로 보아 YMnO₃ 박막내에 과잉의 Y₂O₃가 c-축으로의 배향을 억제하는 것을 알 수 있다. 특히 산소분압 0% 에서 증착한 Pt/YMnO₃/Y₂O₃/Si 구조에서의 메모리 윈도우 특성은 c-축으로 잘 배향된 결과로 인해 인가전압 2~12V에서 0.67~3.65V이었으며 이는 Y₂O₃/Si 기판위에 산소분압 20% 에서 증착한 박막 (0.19~1.21V)보다 동일한 인가전압에서 3배 정도의 큰 메모리 윈도우 특성을 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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