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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제1호
발행연도
2001.4
수록면
51 - 56 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2001

CeO₂ 박막의 결정성 및 전기적 특성에 미치는 sputtering시 산소분압비의 영향
박상식 Applied Science and Convergence Technology 2001.04 학술저널

2000

CeO₂ 박막의 결정구조 및 전기적 특성에 미치는 sputtering시 산소분압비의 영향
박상식 한국진공학회 학술발표회초록집 2000.07 학술대회자료

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MFISFET(Metal-ferroelectric-insulator-semiconductor-field effect transistor)에의 적용을 위한 절연체로서 CeO₂ 박막을 r.f. magnetron sputtering법에 의해 제조하였다. 스퍼터링시 증착개스는 Ar과 O₂를 사용하였으며 산소분압비에 따른 CeO₂ 박막의 결정성 및 전기적 특성에 미치는 영향을 평가하였다. p형 -Si(100) 기판 위에 600℃에서 증착된 CeO₂ 박막들은 (200)방향으로 우선방향성을 가지고 성장하였으며 Ar만으로 증착된 박막의 우선방향성은 증가하였으나 상대적으로 많은 하전입자와 표면 거칠기로 인해 C-V특성에서 큰 이력특성을 보였고 산소분압비가 증가함에 따라 양호한 특성을 보였다. 이것은 이동가능한 이노전하의 감소에 기인한다고 할 수 있다. CeO₂의 비는 모든 박막에서 1:2.22~2.42를 보여 산소과잉의 조성을 나타냈으며 산소분압비에 따라 제조된 박막들의 누설전류값은 100kV/cm의 전계에서 10^(-7)~10^(-8)A의 차수를 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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