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한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.4 No.1
발행연도
2000.3
수록면
6 - 10 (5page)

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Ferroelectric YMnO₃ thin films were deposited on Y₂O₃/Si(100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The YMnO₃ thin films annealed in vacuum ambient (100 mTorr) above 750℃ show hexagonal structured YMnO₃. However, the film annealed in oxygen ambient shows poor crystallinity, and the second phase as Y₂O₃ and orthorhombic-YMnO₃ were shown. The C-V characteristics have a hysteresis curve with a clockwise rotation, which indicates ferroelectric polarization switching behavior. When the gate voltage sweeps from +5 to 5 V, the memory window of the Pt/YMnO₃/Y₂O₃/Si gate capacitor annealed at 850℃ is 1.8 V. The typical leakage current densities of the films annealed in oxygen and vacuum ambient are about 10^(-3) and 10^(-7) A/㎠ at applied voltage of 5 V.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experiments

Ⅲ. Results and Discussion

Ⅳ. Conclusions

Acknowledgments

References

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