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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제3호
발행연도
2003.9
수록면
168 - 173 (6page)

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유리 기판 위에 증착된 비정질 실리콘 박막의 고상 결정화에 대한 새로운 방법을 제시하였다. 비정질 실리콘 박막의 하부에 패턴 된 다양한 크기의 TiSi₂ 박막을 전기저항 가열 방식으로 가열함으로서 비정질 실리콘이 고상결정화 되도록 하였다. 박막히터를 이용한 열처리는 매우 빠른 열처리 공정으로써, 일반적인 로에 의한 열처리에 비해 매우 낮은 thermal budget을 가지므로, 유리기판위에서도 고온 열처리가 가능하다는 장점을 가진다. 본 연구에서는 500 Å의 비정질 실리콘 박막을 약 850℃ 이상의 높은 온도에서 수 초 내에 결정화 할 수 있음을 보였으며, 열처리 조건의 변화에 따른 영향과 지역선택성의 장점을 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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