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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조현준 (영남대학교) 배인호 (영남대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제21권 제6호
발행연도
2012.11
수록면
322 - 327 (6page)

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Molecular beam epitaxy 방법으로 성장된 ZnSe/GaAs 이종접합 구조에서 ZnSe의 electroreflectance (ER) 특성을 조사하였다. ER 측정은 변조 전압, 인가 전압 및 온도의 변화에 따라 수행하였다. 상온의 ZnSe ER 스펙트럼에서 압축 변형에 의하여 분리된 가전자대의 무거운 정공(HH: 2.609 eV) 및 가벼운 정공(LH: 2.628 eV)과 전도대 사이의 전이를 관측하였다. 인가전압이 증가함에 따라 HH 전이 신호의 크기는 점차 감소하였으나, LH 전이 신호의 크기 변화는 미미하였다. 온도에 따른 ER 스펙트럼의 변화를 통하여 변형과 열팽창 계수와의 관계를 연구하였다.
#ZnSe/GaAs #Electroreflectance #무거운 정공 #가벼운 정공 #변형 효과 #ZnSe/GaAs #Electroreflectance #Heavy-hole #Light-hole #Strain effect

목차

초록
I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 논의
IV. 결 론
참고문헌

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
T. Yao / 1985 / The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy, Chap. 10 / Plenum google schola 김은도 / 2006 / 초고진공 분자선 에피성장 시스템의 제작과 에피성장된 ZnSe/GaAs(001)의 광학특성 / 한국진공학회지 15(5):458~464 dbpia O. Madelung / 1982 / Numerical data and Function relationships in Scienc and Technology, In Vol. 17 / Springer google schola V. Wagner / 2000 / Thin Solid Films 364:119 google schola N. Kumagai / 1998 / J. Crystal Growth 184:505 google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001274207