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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제3호
발행연도
1998.8
수록면
267 - 272 (6page)

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ECR plasma CVD를 이용한 SiOF 박막은 낮은 유전상수를 가지고 있으며, 기존의 공정과의 정합성이 우수해 다층배선 공정에 채용이 유망한 재료이지만 수분의 흡수로 인한 유전율의 상승과 후속공정의 안정성이 문제점으로 부각되고 있다. 따라서 본 연구에서는 SiOF 박막의 내흡습성과 후속공정에서의 안정성을 향상시키기 위하여 SiOF 박막을 증착한 후 후속 산소 플라즈마 처리를 행하였다. SiOF 박막은 산소 플라즈마 처리를 수행함으로써 SiOF 박막 표면에 SiO₂막이 형성되어 내흡습성이 개선되었다. 이와 같은 산소 플라즈마에 의한 내흡습성의 향상은 SiOF 박막의 밀도가 증가하고, 수분과의 친화력이 강한 Si-F 결합이 감소하는 것이 주요한 원인으로 사료된다. 하지만 플라즈마 처리 시간이 5분 이상으로 증가하면 유전율의 증가가 일어난다. 따라서 본 실험에서는 산소 플라즈마 처리조건이 마이크로파 전력이 700 W, 공정압력이 3 mTorr, 기판온도가 300℃일 경우 플라즈마 처리시간은 3분이 적당한 것으로 생각된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 토론

4. 결론

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