저압 MOCVD 방법으로 성장된 InGaAsP 에피층에서의 ordering 현상

김대연; 문영부; 이태완; 윤의준; 이정용; 정현식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김대연 문영부 이태완 윤의준 이정용 정현식

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제3호

발행연도: 1998.8

수록면: 187 - 194 (8page)

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1998

저압 MOCVD 방법으로 성장된 InGaAsP 에피층에서의 ordering 현상

김대연 , 문영부 , 이태완 외 3명 Applied Science and Convergence Technology 1998.08 학술저널

1997

저압 MOCVD 방법으로 성장된 InGaAsP 에피층의 ordering 특성에 대한 분석

김대연 , 문영부 , 이태완 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 1997.02 학술대회자료

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저압 유기금속 화학기상증착법을 이용하여 600℃와 620℃에서 InP 기판 위에 격자일치된 InGaAsP 에피층을 성장하였다. InGaAsP 에피층의 기상에서의 조성에 따른 고상에서의 조성의 변화를 분석하여, 3족 원소의 경우에는 기상에서 반응이 일어나는 표면으로의 3족 원료의 확산에 의해 조성이 결정되었으며, 5족의 경우에는 As과 P의 증기압의 차이와 AsH₃, PH₃의 열분해 효율의 차이에 의해 조성이 결정되었다. 측정 온도에 따른 PL 스펙트럼의 변화를 분석하여 75K 이하의 저온에서 비정상적인 PL 스펙트럼 피크의 거동을 관찰하였다. 이러한 PL 피크의 비정상적인 거동은 투과 전자현미경 분석과 투과 스펙트럼 분석을 통해 국부적인 ordering의 차이에 의한 에너지 갭의 공간적인 변화에 의해 나타나는 것으로 설명되었다.

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