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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제3호
발행연도
1996.9
수록면
206 - 212 (7page)

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저압 MOCVD 방법을 이용하여 76 Torr에서 In_(1-x)Ga_xAs 에피층을 성장하였다. 성장온도에 따른 성장속도의 변화는 크지 않았으며 , 격자불일치와 성장온도, AsH₃/(TMIn+TMGa)비에 따라 표면형상이 변화하는 경향성을 관찰하였다. 깨끗한 표면을 가지는 In_(1-x)Ga_xAs 에피층의 5K PL 측정을 통하여 2.8 meV의 반가폭을 가지는 결정성이 좋은 에피가 성장되었음을 확인하였다. 성장온도에 따른 조성의 변화는 크지 않았으며, 고체상에서의 In_(1-x)Ga_xAs 조성은 기체상에서의 원료가스의 확산단계에 의해 결정되었다. 격자불일치와 성장온도가 In_(1-x)Ga_xAs 에피층의 전기적 특성을 결정하는 가장 중요한 변수로 확인되었고, 최적조건에서 성장한 에피층에 대해 상온에서 8×10¹⁴/㎤의 전자농도와 11,000 ㎠/Vㆍsec 의 전자이동도를 얻었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험 결과

4. 결론

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