화학적 빔 에피탁시에 의한 평면구조에서의 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피 성장

한일기; 이정일

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자료유형: 학술저널

저자정보: 한일기 (한국과학기술연구원) 이정일

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제6호

발행연도: 2009.11

수록면: 468 - 473 (6page)

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Chemical beam epitaxy 성장법으로 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피성장 (selective area epitaxy)을 하였다.〈011〉방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 작아지고,〈01-1〉방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 증가하는 현상이 나타났는데 이는 InGaAs의〈311〉A와 B면이〈01-1〉방향에 평행한 직선패턴에서 성장되었기 때문으로 설명되었다. 성장속도가 1 ㎛/hr인 조건에서 5족 가스의 압력이 감소할수록 (100) 면 위에서 평평한 에피층이 성장되었는데 이는 5족 가스의 과포화현상에 의한 3족 원소의 표면이동으로 설명하였다.

#화학적 빔 에피탁시 #선택적 영역 에피성장 #화합물반도체 #성장 메카니즘 #Chemical beam epitaxy #Selective area epitaxy #Semiconductor #Growth mechanism

참고문헌 (9)

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1. [학술지(정기간행물)] - A. Freundlich / 2007 / / J. Vacuum Sci. Technol. B 25 : 987 ~

2. [학술지(정기간행물)] - E. G. P. de Jong / 2009 / / Material Science & Technology : 25 ~ 29

3. [학술지(정기간행물)] - L. E. Jensen / 2004 / / Nano Lett 4 : 1961 ~

4. [학술지(정기간행물)] - G. Radhakrishnan / 2009 / / J. Crystal Growth 311 : 1855 ~

5. [학술대회논문] - R. Munden / 2009 / / 2009 APS Mrach Meeting : 16 ~ 20

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