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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제5호
발행연도
2003.1
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When a SnO₂thin film was deposited by thermal CVD, two different types of growth behavior that were dependent on the deposition temperature were observed. The film grown at 475℃ had a wide grain size distribution and a faceted surface shape. On the other hand, the film grown at 525℃ had a relatively narrow grain size distribution and a rounded surface shape. The aspects of grain shape and growth behavior agree well with the theory of grain growth and a roughening transition. The charge carrier density decreased with deposition time. According to photoluminescence measurements, the peak intensity of the spectra occurred at approximately 2.5 eV, which is related to oxygen vacancies, and decreased with increasing of deposition time. These measurement results suggest that the number of oxygen vacancies, which is related with to the electrical conductivity, decrease with deposition time.
#CVD #SnO2 #Hall effect #grain growth #roughening transition

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