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Relationships between the electrical resistivity and the growth characteristic of SnO₂ thin films were investigated. SnO₂ thin films with thickness from 64 ㎚ to 91 ㎚ were made by controlling the RF deposition energy from 80 to 150 W. These SnO₂ thin films were annealed at 200℃~700℃ temperature range of 100℃ interval in the O₂ gas condition. After annealing treatments, the microstructures of the SnO₂ thin films were changed mixed structure(amorphous & crystalline) to lamina columnar crystalline structure. Both the film thickness and the grain size were increased with increasing the local crystallization of SnO₂ microstructure of thin films by annealing treatment. Their electrical resistivity increased up to the annealing temperature of 400℃, and then slowly decreased.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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