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저자정보
김철 (서울과학기술대학교 NID융합기술대학원) 김성동 (서울과학기술대학교 기계시스템디자인공학과) 김은경 (서울과학기술대학교 NID융합기술대학원)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제26권 제4호
발행연도
2016.1
수록면
222 - 227 (6page)

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Tin oxides have been studied for various applications such as gas detecting materials, transparent electrodes, transparent devices, and solar cells. p-type SnO is a promising transparent oxide semiconductor because of its high optical transparency and excellent electrical properties. In this study, we fabricated p-type SnO thin film using rf magnetron sputtering with an SnO/Sn composite target; we examined the effects of various oxygen flow rates on the SnO thin films. We fundamentally investigated the structural, optical, and electrical properties of the p-type SnO thin films utilizing X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), UV/Vis spectrometry, and Hall Effect measurement. A p-type SnO thin film of $P_{O2}=3%$ was obtained with > 80% transmittance, carrier concentration of $1.12{\times}10^{18}cm^{-3}$, and mobility of $1.18cm^2V^{-1}s^{-1}$. With increasing of the oxygen partial pressure, electrical conductivity transition from p-type to n-type was observed in the SnO crystal structure.

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