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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
109 - 115 (7page)

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The study of Oxygen Vacancy on SnO2 thin films grown by thermal chemical vapor deposition were investigated with different substrate temperature. X-ray diffraction showed that the crystallinity of the grown thin films increased with increasing substrate temperature. Two narrow peaks and two broad peaks were observed from the photoluminescence measurements at 6 K. The intensity and shape of the broad peaks were changed with increasing substrate temperature. It was concluded that the origin of the broad peak at 2.4 eV was due to oxygen vacancies and that of peak at 3.1 eV was related to structural defects. Hall effect measurements showed that the carrier density was decreased as increasing deposition time from 10 to 30 min., but increased for the deposition of 60 min.
#SnO2 #Thin films #Photoluminescence #Hall effect #Oxygen vacancy

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/ 1972. / and Electrical Conductivity in Binary Metal Oxides (nstoichiometry) : 221 ~ google schola / 1976. / Physical properties of SnO2 materials 123 : 199 ~ google schola / 1980. / Impurity transition in the photoluminescence spectra of SnO2 33 : 341 ~ google schola / 1980. / Prea- pration of fast detecting SnO2 gas sensors 19 (3) : 513 ~ google schola / 1986. / Preparation and properties of antimony-doped SnO2 films by thermal decomposition of tin 2 ethyhexanoate 21 : 2731 ~ google schola

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