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논문 기본 정보
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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제1호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 36 - 41 (6page)
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In this paper, the time evolution of undoped GaN epilayers on a low-temperature GaN buffer layer grown on c-plane sapphire at a low pressure of 300 Torr was studied via a two-step growth condition in a horizontal MOCVD reactor. As a function of the growth time at a high- temperature, the surface morphology, structural quality, and optical and electrical properties were investigated using atomic force microscopy, high-resolution x-ray diffraction, photoluminescence, and Hall effect measurement, respectively. The root-mean-square roughness showed a drastic decrease after a certain period of surface roughening probably due to the initial island growth. The surface morphology also showed the island coalescence and the subsequent suppression of three-dimensional island nucleation. The structural quality of the GaN epilayer was improved with increasing growth time considering the symmetrical (002) and asymmetrical (102) rocking curves. The variations of room-temperature photoluminescence, background carrier concentration, and Hall mobility were measured and discussed.
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/ 1986. / Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer 48 : 353 ~
/ 1995. / Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition grown GaN films on sapphire 67 (11) : 1541 ~
/ 1996. / Influence of sapphire nitridation on properties of gallium nitride grown by metalorganic chemical vapor deposition 68 : 1525 ~
/ 1996. / Nucleation layer evolution in metal-organic chemical vapor deposition grown GaN 68 (10) : 1371 ~
/ 1996. / Role of threading dislocation structure on the x-ray diffraction peak widths in epitaxial GaN films 68 (5) : 643 ~
/ 1995. / Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition grown GaN films on sapphire 67 (11) : 1541 ~
/ 1996. / Influence of sapphire nitridation on properties of gallium nitride grown by metalorganic chemical vapor deposition 68 : 1525 ~
/ 1996. / Nucleation layer evolution in metal-organic chemical vapor deposition grown GaN 68 (10) : 1371 ~
/ 1996. / Role of threading dislocation structure on the x-ray diffraction peak widths in epitaxial GaN films 68 (5) : 643 ~
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