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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
159 - 163 (5page)

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This paper gives characterization of ZnO thin film deposited by RF magnetron sputtering method, which is concerned in deposition process and device fabrication process, to fabricate solidly mounted resonator(SMR)-type film bulk acoustic resonator(FBAR). A piezoelectric layer of 1.1 ㎛ thick ZnO thin films were grown on thermally oxidized SiO2(3000 Å)/Si substrate layers by RF magnetron sputtering at the room temperature. The highly c-axis oriented ZnO thin film was obtained at the conditions of 265 W of RF power, 10 mtorr of working pressure, and 50/50 of Ar/O2 gas ratio. The piezoelectric-active area was 50 ㎛ⅹ50 ㎛, and the thickness of ZnO film and Al-3 % Cu electrode were 1.4 ㎛ and 180 ㎛, respectively. Its series and parallel frequencies appeared at 2.128 and 2.151 GHz, respectively, and the quality factor of the resonator was as high as 401.8±8.5.
#ZnO #FBAR #Resonator #Piezoelectric layer #SMR

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참고문헌 (7)

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/ 1995. / Development of miniature filters for wirel- ess applications 43 (12) : 2933 ~ google schola / 1999. / BAW resonators based on aluminum nirtide thin films : 907 ~ google schola / 2001. / A Study on the Microwave Properties of Film Bulk Acoustic Resona- tors : 20 ~ google schola / 2001. / Fabrication of Film Bulk Acoustic Resonator Devices using Piezo- electric ZnO Films : 23 ~ google schola / 2001. / Journal of the Korea Physical Society 39 : 268 ~ google schola

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