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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 152 - 155 (4page)
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In this study, we fabricated FBAR(film bulk acoustic resonator) by using Li2CO3:ZnO as a function of annealing temperature and concentrated on effect of frequency characteristic of FBAR. The results show that the annealing affects resistivity and crystallity. The optimum properties were observed for film annealed at 500 ℃. The resistivity was 1.5×1011 Ωcm and the roughness was 21.10 nm. And the return loss is improved from -24.9 at 300 ℃ to -29.8 at 500 ℃ without the resonant frequency change. We finally confirmed the improvement on the frequency characteristics of FBAR device by annealing process at the optimized condition.
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B. D. Cullity / 2001 / Elements of x-ray diffraction / Prentice Hall
E. K. Kim / 2006 / Improvement of the crystallinity of ZnO thin films and frequency characteristics of a film bulk acoustic wave resonator by using an Ru buffer layer and ann
J. Liu / 2005 / Sol?gel derived (Li, Mg): ZnO films with high c-axis orientation and electrical resistivity / Surf Coat Tech. 198 (1-3) : 274 ~
L. Mai / 2005 / A comprehensive of thermal treatment effects on resonance characteristics in FBAR devices / Microwave and optical technology letters 47 (5) : 459 ~
M. Chen / 2001 / Structural, electrical, and optical properties of transparent conductive oxide ZnO:Al films prepared by dc magnetron reactive sputtering / J. Vac. Sci. Techn
E. K. Kim / 2006 / Improvement of the crystallinity of ZnO thin films and frequency characteristics of a film bulk acoustic wave resonator by using an Ru buffer layer and ann
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L. Mai / 2005 / A comprehensive of thermal treatment effects on resonance characteristics in FBAR devices / Microwave and optical technology letters 47 (5) : 459 ~
M. Chen / 2001 / Structural, electrical, and optical properties of transparent conductive oxide ZnO:Al films prepared by dc magnetron reactive sputtering / J. Vac. Sci. Techn
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