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대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 대한전기학회 제37회 하계학술대회 논문집 C
발행연도
2006.7
수록면
1,651 - 1,652 (2page)

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In this study, the 2-step methode by ALD equipment was used to improve the characteristics of ZnO thin films used in a piezoelectric layer when the FBAR devices of a SMR type are fabricated. The Height of formed buffer layer was 400Å and ZnO thin film of 13600Å was deposited by RF sputter on the buffe ... 전체 초록 보기

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희생층과 압전층의 면적변화에 따른 ZnO 압전박막을 이용한 Air-gap type FBAR의 특성
고성용 ,  장철영 ,  최현철 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2001 .06
FBAR 필터 응용을 위한 Al 하부전극 상에서 ZnO 박막 증착 및 온도가 ZnO 결정의 성장에 미치는 영향
윤기완 ,  임문혁 ,  채동규 외 1명 한국정보통신학회논문지 2003 .04

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